Intelovi inženirji delajo na novi vrsti pomnilnika, ki bi lahko prinesel velik korak naprej pri pomnilniški pasovni širini v segmentu pospeševalnikov UI, čeprav je pri pomnilniški zmogljivosti zaenkrat še v slabšem položaju, a kljub temu deluje kot izrazito obetaven razvoj. Pri delu Intelovi ekipi pomaga Sainmemory, hčerinsko podjetje SoftBanka, da bi lahko standardu HBM (High-Bandwidth Memory) v obliki HB3DM pripravili dovolj konkurenčnega izzivalca.
Vse podrobnosti o novi vrsti pomnilnika bodo morda znane ob konferenci VLSI 2026, ki bo junija, a že zdaj je o novosti na voljo veliko informacij, na podlagi katerih se zdi, da bi v segmentu sendvičev pomnilniških čipov za pospeševalnike UI lahko prišel močan tekmec. O razvoju je pred kratkim poročal dr. Ian Cutress, a kakovost diapozitivov še ni najboljša.
HB3DM prav tako zlaga pomnilniške čipe v plasti kot HBM, vendar tu uporabljajo tehnologijo Z-Angle Memory, ki je podobna rešitvi, uporabljeni pri HBM, torej omogoča zlaganje pomnilniških čipov drug na drugega vzdolž osi Z. Poleg tehnologije Z-Angle Memory ima v postopku pomembno vlogo še več drugih precej naprednih tehnologij, denimo Hybrid Bonding, ki pomaga pri plastenju čipov.
V trenutni zasnovi je sendvič pomnilniških čipov sestavljen iz skupno 9 plasti čipov, med katerimi povezavo vzpostavlja približno 13.700 TSV, torej navpičnih povezovalnih vodnikov. Osnovna plast vsebuje nekaj logičnih vezij, ki pomagajo pri usmerjanju premikanja podatkov znotraj čipa, nad njo pa je osem plasti DRAM, ki opravljajo začasno shranjevanje podatkov.
Na trenutni stopnji razvoja je HB3DM sposoben doseči približno 1,125 GB pomnilniške zmogljivosti na plast, kar pri posameznem sendviču pomnilniških čipov pomeni skupno zmogljivost 10 GB. Pri čipu s površino 171 kvadratnih milimetrov je mogoče doseči pomnilniško pasovno širino 0,25 Tb/s na kvadratni milimeter, kar pomeni, da lahko vsak sendvič pomnilniških čipov zagotavlja okoli 5,3 TB/s pomnilniške pasovne širine, kar je masiven korak naprej v primerjavi z najnaprednejšo različico HBM. Pri HBM4 lahko posamezen sendvič pomnilniških čipov deluje s približno 2 TB/s pomnilniške pasovne širine, torej ima HB3DM bistveno prednost pred HBM4.
Pri pomnilniški pasovni širini ima torej HB3DM veliko prednost, pri pomnilniški zmogljivosti pa je boljši HBM4: medtem ko je pri prvem na sendvič pomnilniških čipov 10 GB, je pri drugem lahko največ 48 GB. HB3DM se lahko seveda na tem področju izboljša, povečajo lahko gostoto pomnilnika na čip in tudi število pomnilniških plasti, s tem pa se lahko poveča tudi pomnilniška zmogljivost, a pri pomnilniški pasovni širini je zmagovalka že zdaj jasno nova tehnologija, ki sta jo razvila Intel in Sainmemory.
O tem, kdaj natančno bi se lahko pojavili prvi čipi nove vrste pomnilnika, zaenkrat ni bilo govora, prav tako ni znano, katero podjetje bo izdelovalo čipe DRAM, ki zagotavljajo osnovo. Ker ima Intel nekaj izkušenj s proizvodnjo pomnilniških čipov, ni izključeno, da bodo čipe DRAM izdelovali v lastni hiši, a katero proizvodno tehnologijo bodo pri tem uporabili, bomo izvedeli šele pozneje.
