Največji kitajski proizvajalec DRAM se v segmentu planarnih čipov DRAM odlično odreže, saj se lahko po kapaciteti in hitrosti kosa z akterji v panogi. Podjetje je na trgu prej povzročilo veliko presenečenje, ko se je izkazalo, da je začelo tudi s pilotno proizvodnjo sendvič pomnilniških čipov HBM3E, kar bi lahko kitajski industriji umetne inteligence prineslo ogromne prednosti. Takrat še ni bilo znano, katere sendvič pomnilniške čipe CXMT natančno izdeluje, torej ni bilo konkretnih podatkov niti o kapaciteti niti o hitrosti, prav tako ni bilo znano, kakšen bo izkoristek proizvodnje.
Po informacijah, ki so jih prejeli predstavniki južnokorejskih medijev, je videti, da se sendvič pomnilniški čipi HBM3E podjetja CXMT soočajo s precejšnjimi težavami, kar zadeva izkoristek proizvodnje. Kitajsko podjetje pri tehnologiji HBM zaostaja za vrhom panoge le za dve generaciji, saj se vodilni akterji v panogi osredotočajo ravno na sendvič pomnilniške čipe po standardu HBM4E, CXMT pa na trg poskuša vstopiti s HBM3E.
Pri pilotni proizvodnji je običajno, da izkoristek še ne doseže želene ravni, saj gre pri postopku za optimizacije in fino nastavljanje, vendar je videti, da so inženirji podjetja v tem primeru pred precej velikimi izzivi, saj je izkoristek trenutno le okoli 25 %, kar pomeni, da je od 20 sendvič pomnilniških čipov HBM3E uporabne kakovosti le približno 5. To je bilo seveda pričakovano, saj HBM v primerjavi s planarno tehnologijo DRAM zahteva precej bolj zapletene proizvodne postopke: plasti ploščic je treba med seboj povezati s pomočjo navpičnih povezav in jih zložiti eno na drugo, celoten »sendvič« pa z ustreznim grafičnim procesorjem ali FPGA komunicira prek osnovne ploščice, seveda z uporabo kontaktov ohišja.
Nizek izkoristek je mogoče pojasniti ravno s pomanjkanjem izkušenj s TSV, torej navpičnimi povezavami. CXMT po poročanju za povezovanje ploščic uporablja le 3000 TSV, medtem ko je Samsung pri sendvič pomnilniških čipih po standardu HBM2 uporabil približno 5000 TSV, SK Hynix pa je povezovanje plasti sendvič pomnilniškega čipa HBM3 rešil z več kot 8000 TSV. Pri CXMT količina 3000 nakazuje, da podjetje v enem ohišju poskuša zložiti »le« 8 ploščic DRAM, kar velja za običajno konfiguracijo v svetu sendvič pomnilniških čipov HBM3E. To sicer napoveduje tudi, da podjetje v bližnji prihodnosti zagotovo ne bo prešlo na konfiguracijo 12-Hi, saj ta, čeprav prinaša precejšnje povečanje kapacitete, zahteva še težje brezhibno zlaganje 12 plasti ploščic, kar pomeni, da bi bil pri zahtevnejši zasnovi izkoristek manjši od 25 %.
Za zdaj je seveda še prezgodaj presojati, kako uspešen je prvi poskus podjetja CXMT v segmentu HBM, saj lahko podjetje hitro najde odgovore na izzive, kar bo pomenilo rast izkoristka. Pri običajnih čipih DRAM delajo z izkoristkom okoli 90 %, torej za Samsungovo ekipo zaostajajo le za 2–3 %, kar zadeva pomnilniške čipe DDR5. Tehnologija HBM je zaradi TSV seveda precej bolj zapletena, zato je zelo verjetno, da se serijska proizvodnja sendvič pomnilniških čipov CXMT na osnovi HBM3E lahko začne šele čez več mesecev.
