Micron je dosegel izjemno pomemben mejnik na trgu pomnilnikov, saj je izdelal pomnilniške čipe DDR5, ki jih ne sestavlja en, temveč več čipov DRAM, med posameznimi plastmi pa poteka povezava tipa Through-Silicon-Via, ki je morda znana iz sveta čipov pomnilnika 3D NAND Flash in različnih enot SoC. S to metodo lahko ameriški proizvajalec uspešno poveča kapaciteto na posamezen pomnilniški čip DDR5, zahvaljujoč višji gostoti podatkov, ki izhaja iz uporabe več plasti.
Pomnilniški moduli s posebnimi pomnilniškimi čipi bodo seveda najprej našli mesto v segmentu strežnikov, ker je tam preprosto dovolj povpraševanja po njih in tudi plačilno sposobnih kupcev, hkrati pa je tam mogoče iz njih iztržiti največ dobička. Z uporabo novosti največja kapaciteta modulov DDR5 tipa RDIMM ne bo več 256 GB, temveč 512 GB, torej je mogoče razpoložljivo pomnilniško kapaciteto pri posameznih platformah v bistvu podvojiti, seveda če je zagotovljena združljivost modulov. Micron seveda sodeluje z ekipama Intel in AMD pri validaciji modulov, morda pa zanje pripravljajo tudi optimizacije, zaradi česar bo mogoče doseči celo hitrost 9200 MT/s.
Z moduli DDR5 RDIMM s kapaciteto 512 GB je v strežniku z dvema procesorjema in skupaj 24 režami DDR5 za sistemski pomnilnik namesto prejšnje omejitve 6 TB mogoče upravljati celo 12 TB vgrajenega pomnilnika, kar bo pri velikih računalniških gručah izrazita prednost. Večja pomnilniška kapaciteta je tako ali tako potrebna, saj veliki jezikovni modeli, agenti UI, sklepanje v realnem času in delovni tokovi, razpršeni na več procesorskih jeder, zahtevajo velike količine pomnilnika, poleg tega pa ni vseeno, kolikšna pomnilniška prepustnost je na voljo, vse pomembnejši vidik pa je tudi čim bolj energijsko učinkovito delovanje.
Zahvaljujoč Micronovim modulom DDR5 RDIMM s kapaciteto 512 GB je v primerjavi z rešitvami s 256 GB mogoče doseči celo 1,4-kratno povečanje zmogljivosti – odvisno od delovnega toka –, energijska učinkovitost pa je hkrati na visoki ravni. Po navedbah Microna je mogoče z enim modulom DDR5 RDIMM s kapaciteto 512 GB v primerjavi s pomnilniškim podsistemom iz štirih modulov po 128 GB zmanjšati porabo celo za 60 %.
Po načrtih bi se lahko serijska proizvodnja modulov DDR5 RDIMM s kapaciteto 512 GB začela nekje v drugi polovici prihodnjega leta, v skladu z zahtevami kupcev.
