O Intelovem proizvodnem procesu 14A, ki je razred 1,4 nm in za pogodbene polprevodniške storitve podjetja ključna litografija, je v zadnjih tednih in mesecih prispelo že veliko pozitivnih informacij, ki so nakazovale, da je podjetje končno na pravi poti k uspehu. Pred dnevi so Intelovi predstavniki poročali o novi pozitivni stvari: kaže, da se gostota napak pri 14A zmanjšuje precej hitreje od pričakovanj, in sicer s tempom, kakršnega je podjetje nazadnje videlo pri enem svojih najuspešnejših proizvodnih procesov, vozlišču 22 nm, v začetku leta 2010.
O tem je govoril David Zinsner, finančni direktor podjetja, ob priložnosti konference 2026 Technology Conference, ki jo je gostila Deutsche Bank in na kateri so govorili tudi o več drugih zanimivostih. Po njegovih besedah Intelova ekipa z razvojem napreduje precej hitreje kot prej, zaradi česar se število in gostota napak na silicijevih rezinah zmanjšujeta hitreje, kar je vsekakor dobrodošlo in pomembno za prihodnost procesa 14A. Trenutni načrti za 14A predvidevajo, da bodo v drugi polovici leta 2027 z njim začeli proizvajati lastne izdelke, leta 2028 pa se lahko začne tudi množična proizvodnja, kar pomeni, da je 14A v bistvu dve leti oddaljen od začetka množične proizvodnje, torej je za razvoj še nekaj časa.
Po besedah finančnega direktorja je pri 14A pri zmanjševanju gostote napak videti tempo, primerljiv s stanjem pri 22 nm, če oba proizvodna procesa primerjamo na enaki stopnji razvitosti. Seveda velja omeniti, da se zaradi razvoja proizvodnih procesov in modernejše opreme danes morda kot napaka kaže tudi tisto, kar pred 16 leti ni veljalo za napako, zato neposredne primerjave pravzaprav ni mogoče izvesti – že zato ne, ker gre za proizvodne procese, ki temeljijo na povsem različnih tehnologijah. Pojasniti velja tudi, da sta gostota napak in izkoristek (yield) dve ločeni stvari, ki ju je treba obravnavati vsako zase.
Medtem ko je 22 nm kot prvi uporabljal tranzistorsko tehnologijo FinFET, se pri 14A uporabljajo že tranzistorji GAA RibbonFET druge generacije in zadnje napajanje druge generacije, torej tehnologija PowerDirect, pri oblikovanju vzorcev pa namesto DUV uporabljajo postopek High-NA EUV. Kljub različnim temeljem je seveda razveseljivo, da se okoli 14A stvari dobro odvijajo, a ni naključje, da ga primerjajo z 22 nm, saj je bilo pri drugih proizvodnih procesih težav na pretek.
Proces 14 nm je zaradi neustreznega izkoristka nekoč zamudil eno leto, prva generacija 10 nm pa je bila naravnost katastrofa, zato se je moral Intel dolgo zanašati na proizvodni proces 14 nm. Pri 10 nm so hoteli narediti preveliko stopnjo naenkrat, kar se jim je krepko maščevalo. Pozneje je 20A pristal v koših, pri 18A pa je bila gostota napak višja od pričakovane celo ob začetku množične proizvodnje – nobeden od njiju ni zgodba o uspehu. Seveda je vprašljivo, kako so potekale posamezne postaje razvoja procesov Intel 4 in Intel 3, saj je bilo okoli njiju veliko molka.
Kakorkoli že, po besedah Davida Zinsnerja niso optimistični le v Intelu glede procesa 14A, temveč tudi potencialne stranke, ki ne spremljajo več le podatkov o litografiji, ampak jih zanima tudi, kakšne proizvodne zmogljivosti bi lahko pridobile in kako bi proizvodnja izgledala v prihodnje. Za Intel je to vsekakor korak naprej, saj je proces 14A odločilen za prihodnost Intel Foundry Services: to je lahko prvi proizvodni proces, ki bo podjetje končno uvrstil na zemljevid pogodbenih proizvajalcev polprevodnikov.
