Samsung bo kmalu zaključil obdobje, ki je trajalo več desetletij: letos bo ustavil serijsko proizvodnjo dvodimenzionalnih pomnilniških čipov NAND Flash, ker po videzu povpraševanje po teh izdelkih ni tolikšno, da bi se izplačalo nadaljevati proizvodnjo. V odločitvi verjetno pomembno vlogo igra tudi to, da trg zaradi mrzlice okoli umetne inteligence potrebuje ogromne količine pomnilniških sendvičev tipa HBM: na ustavljenih proizvodnih linijah naj bi zato izdelovali pomnilniške sendviče standarda HBM4.
Po informacijah The Elec Korea se bo Samsungova odločitev nanašala na proizvodno enoto Line 12 v industrijski coni Hwaseong, kjer še vedno poteka proizvodnja pomnilniških čipov 2D NAND Flash. Po zaustavitvi tovarne proizvodne linije seveda ne bodo prepustili usodi, ampak jo bodo takoj začeli preurejati, da bi na njej lahko stekla proizvodnja rezin DRAM, ki so osnova pomnilniških sendvičev HBM4.
Znotraj enega takega pomnilniškega čipa HBM4 je več rezin DRAM, ki delujejo naložene ena na drugo, osnovna rezina pa lahko po Samsungovih načrtih tokrat dobi tudi namenske komponente, če naročnik tako zahteva, s čimer se lahko olajša delo pospeševalnikov umetne inteligence: komponente, integrirane v osnovno rezino, lahko izvajajo različne naloge na podatkovnih naborih, shranjenih v pomnilniku, in tako povečajo skupno zmogljivost sistema. Preurejena različica Line 12 naj bi po poročanju izdelovala kovinske prevodne plasti rezin DRAM, kar pomeni, da bo njena naloga ustvarjati prevodne povezave med pomnilniškimi celicami.
Zanimivo je, da je mesečna zmogljivost proizvodnje silicijevih rezin Hwaseong Line 12 ocenjena na med 80.000 in 120.000 12-palčnih rezin, torej jo lahko imenujemo precej znatna. To zmogljivost bodo kmalu uporabili za izdelavo rezin DRAM, namenjenih pomnilniškim sendvičem HBM4, in ne več pomnilniških čipov 2D NAND Flash, verjetno z enako proizvodno zmogljivostjo.
Na preurejeni proizvodni liniji bodo ustrezno izdelovali Samsungove čipe DRAM 1c šeste generacije razreda 10 nm, tako da naj bi skupna proizvodna zmogljivost rezin DRAM, izdelanih z litografijo razreda 1c, dosegla približno 200.000 silicijevih rezin na mesec, kar lahko Samsung doseže v drugi polovici leta. Poleg Hwaseong Line 12 bosta te rezine DRAM izdelovala tudi Pyeongtaek Line 3 in Line 4, tako nastane omenjena mesečna proizvodna zmogljivost.
Sama tehnologija pomnilnika 2D NAND Flash je na trgu na voljo že precej dolgo, prvi taki pomnilniški čipi NAND Flash so debitirali konec 90. let in se izdelujejo še danes, res pa je, da se je proizvodnja v zadnjem času vse bolj začela umikati, saj je 3D NAND Flash skoraj povsod prevzel mesto stare tehnologije. V primerjavi s tehnologijo 2D NAND Flash ponuja 3D NAND Flash številne prednosti: zmore večjo zmogljivost, deluje zanesljiveje in zagotavlja bistveno večjo gostoto podatkov. Vse to je prispevalo k temu, da je lahko na trgu SSD-jev potekal prej doživeti tempo razvoja.
Z novo proizvodno linijo, ki pomaga pri proizvodnji HBM4, bo Samsung lahko učinkoviteje služil potrebam segmenta umetne inteligence, hkrati pa lahko dosega tudi višji dobiček, kot če bi še naprej razmišljal o proizvodnji pomnilniških čipov 2D NAND Flash.
