Samsung Electronics je dosegel izjemno pomemben mejnik pri pomnilniških čipih HBM, razvitih za pospeševalnike umetne inteligence, saj so kot prvi v panogi začeli partnerjem, ki se zanje zanimajo, dobavljati prve vzorce najnovejših čipov standarda HBM4E. Podjetje je že prej prvo mesto pridobilo tudi pri zagonu serijske proizvodnje in komercialnih dobav pomnilniških čipov HBM4, zdaj pa s še eno prvenstvom skuša okrepiti svoj položaj v segmentu HBM.
Pomnilniški čipi podjetja standarda HBM4E ponujajo podatkovno pasovno širino 14 Gbps na kontakt, hitrost pa je mogoče potisniti tudi do 16 Gbps, da bi zmanjšali lakoto po pasovni širini v segmentu umetne inteligence, izvajanje posameznih nalog pa bi bilo učinkovitejše in hitrejše. Novi pomnilniški čipi na tem področju predstavljajo več kot 20-odstotni korak naprej v primerjavi s sorodniki HBM4, hkrati pa omogočajo doseganje pomnilniške pasovne širine do 3,6 TB/s na čip.
Aktualni razvoj vsebuje 12 pomnilniških rezin HBM, torej prihaja v izvedbi 12-Hi, njegova kapaciteta pa je 48 GB. To pomeni več kot 30-odstotni korak naprej v primerjavi z vrhunskim modelom prejšnje generacije, vzporedno pa delajo tudi na nadaljnjem širjenju ponudbe: pripravljata se še 32-gigabajtni čip v sistemu 8-Hi in 64-gigabajtni čip v sistemu 16-Hi, da bi ponudba čim bolj ustrezala zahtevam strank in zagotovila nadaljnji dinamični razvoj pospeševalnikov umetne inteligence.
Posamezne rezine sicer nastajajo po Samsungovi najsodobnejši proizvodni tehnologiji razreda 10 nm, ki se imenuje 1c in znotraj proizvodne tehnologije 10 nm predstavlja že 6. generacijo. Zloženi sloji rezin se povezujejo z logično rezino, izdelano z 4-nanometrsko litografijo Samsung Foundry, rezine pa z naprednimi tehnologijami ohišenja tvorijo en čip. Zahvaljujoč optimizacijam so energijsko učinkovitost uspeli povečati za 16 %, toplotna upornost pa se je v primerjavi s čipi HBM prejšnje generacije zmanjšala za več kot 14 %. Zahvaljujoč temu je odvajanje toplote učinkovitejše, poraba pa nižja, kar bo močno pomagalo pri delovanju podatkovnih centrov umetne inteligence naslednje generacije.
Po Samsungovih načrtih bodo začetek serijske proizvodnje rezin HBM4E časovno prilagodili načrtom naročnikov, ko bodo vzorci dobavljeni in bodo opravljene morebitne potrebne optimizacije. Podjetje medtem stabilno povečuje proizvodnjo pomnilniških čipov HBM4, ki so šli v serijsko proizvodnjo februarja, in se pripravlja na podobne uspehe tudi pri HBM4E, s čimer naročnikom zagotavlja stabilno oskrbo s čipi sredi trenutne mrzlice umetne inteligence.
