Ekipa Samsunga je ob priložnosti FMS 2026 dala vpogled v to, s katerimi pomnilniškimi tehnologijami naslednje generacije se pripravlja v ne tako oddaljeni prihodnosti, ki ciljajo predvsem na segment podatkovnih centrov UI in pospeševalnikov UI, govora pa je bilo tudi o čipih V-NAND Flash 10. generacije, ki bodo debitirali pod imenom BV-NAND.
Podjetje je prišlo z dvema zanimivima konceptoma, prvi je zHBM, drugi pa zNAND-O, katerih cilj je pomagati pri povečanju zmogljivosti pospeševalnikov UI in sistemov, ki jim strežejo.
zHBM bo posebna razvojna rešitev, ki tokrat ne bo nameščena v neposredni bližini pospeševalnika UI, ob čipu, integrirana na plast interposerja, temveč neposredno nad pospeševalniki UI, vertikalno integrirana. Ta zasnova pomaga zmanjšati zakasnitev, saj se pomnilnik približa pospeševalniku UI in morajo podatki prepotovati krajšo pot, hkrati pa se pri oblikovanju končne oblike koncepta veliko pozornosti posveča tudi povečanju pasovne širine prenosa podatkov in izboljšanju energetske učinkovitosti.
Če bo vse potekalo po načrtih, lahko zHBM v primerjavi s HBM5 naslednje generacije ponudi več kot desetkrat večjo gostoto pomnilnika, hkrati pa deluje trikrat energetsko učinkoviteje in lahko toplotno upornost zmanjša za več kot polovico. Z novo rešitvijo je mogoče povečati stabilnost pri sistemih, ki delujejo z veliko zmogljivostjo pomnilnika in veliko pomnilniško pasovno širino, kar je izjemno pomemben vidik. zHBM omogoča tudi, da stranke integrirajo lastna, prilagojena logična vezja v vmesno plast čipa med »sendvičem« pomnilniških čipov in pospeševalnikom UI, kar prinaša novo možnost za povečanje zmogljivosti in/ali zmogljivosti pomnilnika.
Tudi zNAND-O obeta biti pomemben koncept, ki se opira na Samsungovo upravičeno cenjeno tehnologijo V-NAND. Pri zNAND-O bodo integrirali štiri ali osem plasti čipov V-NAND drugo na drugo, s čimer je mogoče doseči visoko zmogljivost I/O in nizko zakasnitev, izkoriščenost razpoložljivega prostora pa je hkrati zelo učinkovita. Ta razvoj cilja predvsem na sisteme segmenta Edge in pomaga, da sistem učinkovito obdela podatke, ki nastajajo v realnem času, včasih v zelo velikih količinah, ob izkoriščanju potenciala UI.
Tretja pomnilniška tehnologija naslednje generacije je 3D V-NAND 10. generacije, imenovana BV-NAND. Ta razvoj z več kot 400 plastmi celic prinaša pospešitev tako pri zmogljivosti pisanja kot branja, poveča pa tudi hitrost I/O v primerjavi z rešitvami prejšnje generacije. Tehnologija, ki temelji na TLC NAND Flash, ima zmogljivost 28 Gb na kvadratni milimeter, kar je sicer malenkost manj, kot jo ponuja BiCS10 NAND Flash, ki sta ga razvila Kioxia in SanDisk, v zameno pa lahko doseže precej višjo hitrost I/O, saj namesto 4800 MT/s zmore zdaj 5600 MT/s.
O pričakovanem prihodu zHBM in zNAND-O med navedenimi razvojnimi rešitvami še ni konkretnih informacij, zelo verjetno pa bo potrebnih še več let razvojnega dela, preden bosta prišla v otipljive izdelke. »Sendviči« pomnilniških čipov HBM4e jo bodo začutili precej prej, saj podjetje prve vzorce izbranim partnerjem dobavlja že od maja. V to kategorijo sodi tudi LPDDR5X-PIM, ki lahko prek namenskega pospeševalnika znotraj pomnilnika opravi nekatere osnovne računske naloge, kar pomaga pri povečanju zmogljivosti pospeševalnika UI, saj lahko čip prejme vnaprej obdelane podatke, hkrati pa se povečata energetska učinkovitost sistema in učinkovitost premikanja podatkov. O uradnem začetku LPDDR5X-PIM za zdaj ni informacij, a bi tehnologija lahko prišla prej kot omenjena zHBM in zNAND-O.
