Samsung je pokazal posodobljen načrt za pomnilniški trg, ki vsebuje številne zanimive mejnike, ki lahko dajo velik zagon tako proizvajalcu kot izdelkom njegovih strank. Po načrtu, orisanem na SEMICON Taiwan 2026, je videti, da bodo pri pospeševalnikih UI s HBM5 in zHBM poskušali držati korak s tekmeci, na področju NAND Flash pa lahko večje uspehe prinese zNAND-O, hkrati pa veliko pozornosti namenjajo tudi razvoju konvencionalnih čipov DRAM in NAND Flash.
HBM5, ki prihaja kot naslednik HBM4E, lahko prinese znatno pospešitev, saj po navedbah Samsunga podvaja zmogljivost, hkrati pa bo na vsak porabljen vat prišlo 20 % višje zmogljivosti, toplotno upornost pa bodo v primerjavi z ravnjo pri HBM4E zmanjšali za 20 %. Zelo pomemben korak naprej je, da je bil osnovni čip pri HBM4E in HBM4 izdelan s širino struktur 4 nm, pri HBM5 pa izdelavo čipa že zagotavlja podjetju lastno razvito vozlišče 2 nm.
Po načrtih bo posamezen sendvič pomnilniških čipov lahko sestavljen iz 12, 16 ali 20 plasti čipov, začetek serijske proizvodnje prvih čipov pa naj bi bil predvidoma načrtovan za leto 2028. Hkrati razvoj HBM4E poteka s polno paro, podjetje se pripravlja na dobavo primerkov s hitrostjo 16 Gbps, kar prinaša velik korak naprej glede na raven 11,7 Gbps, uporabljeno pri HBM4 – oba podatka označujeta pasovno širino na priključek.
Poleg HBM5 v delavnici podjetja nastaja še rešitev po meri, zHBM, ki pa prekinja s konceptom HBM, torej sendviči pomnilniških čipov ne bodo nameščeni v neposredni bližini čipa pospeševalnika UI, ampak na vrhu pospeševalnika. Ta metoda pomaga skrajšati pot podatkov, kar blagodejno vpliva tudi na zakasnitev, hkrati pa poveča učinkovitost in zmogljivost. zHBM naj bi po načrtih pri surovi zmogljivosti lahko do osemkrat presegel čipe HBM4E, hkrati pa ima trikrat boljše razmerje zmogljivost/vat, toplotno upornost pa lahko zmanjša za 75–90 %.
O tem razvoju so že prej govorili, takrat je bilo rečeno, da bi to posebno pomnilniško arhitekturo lahko lansirali nekje okoli leta 2029. Arhitekturo HBM sicer ne poskuša na novo razumeti in strankam postreči v učinkovitejši preobleki le Samsung, ampak tudi Nvidia: slednja v okviru NVHBM pomnilniške krmilnike iz čipov pospeševalnika UI, ki izvajajo računanje, izseli na osnovni čip sendviča pomnilniških čipov HBM, s čimer sistemu zagotavlja precejšnjo prednost na več področjih.
Ekipa Samsunga seveda deluje tudi na področju NAND Flash, tja prinašajo razvoj z imenom zNAND-O, ki v primerjavi s čipi DRAM prinaša desetkratni korak naprej pri gostoti podatkov, hkrati pa ponuja sedemkrat višjo pasovno širino branja v primerjavi s pomnilniškimi čipi NAND Flash, obenem pa lahko ohranja tudi raven energetske učinkovitosti, značilno za slednje. Ta razvoj se lahko v obliki konkretnih vzorcev uresniči nekje med letom 2028, šele po tem pa lahko pride na krov konkretnih izdelkov.
Vodstvo podjetja je poleg novih izdelkov omogočilo vpogled tudi v svojo filozofijo, uresničeno v obliki ogrodja C.U.B.E. Cilj je, da pri razvoju in proizvodnji posameznih izdelkov kot prednostne obravnavajo kapaciteto, izkoriščenost, pasovno širino in učinkovitost. V okviru nove strategije povečanje pomnilniške kapacitete poskušajo doseči ne z zasedanjem večje površine tiskanega vezja, ampak z navpičnim širjenjem, za to uporabljajo optimizirano 3D arhitekturo, ki lahko hkrati zmanjša tudi zakasnitev, vodoravne podatkovne poti pa zamenjujejo z visokohitrostnimi navpičnimi podatkovnimi kanali, medtem ko na energetsko učinkovitost in upravljanje toplote pazijo že na ravni bitov.
Samsungovi novi izdelki bodo na trgu na voljo v prihodnjih letih, medtem ko podjetje poskuša učinkovito tekmovati z ekipo SK hynix, oči pa drži tudi na kitajskih proizvajalcih pomnilnika, ki so se pojavili kot »nova nevarnost«, naj gre za CXMT, dejavnega na trgu DRAM, ali za YMTC, ki se pripravlja na osvojitev trga NAND Flash.
