Samsungovi inženirji so pred kratkim dosegli izjemno pomemben mejnik, poroča ekipa ET News, po kateri so v južnokorejskem podjetju uspešno izdelali prvi pomnilniški čip 3D V-NAND Flash z 900 aktivnimi celičnimi plastmi, kar je mogoče šteti za resen korak naprej z več vidikov. 900 aktivnih celičnih plasti pomeni prvenstvo v industriji, saj je med trenutno serijsko izdelovanimi čipi 3D NAND Flash rekorder rešitev podjetja SK hynix s 321 aktivnimi celičnimi plastmi, res pa je treba dodati, da Samsungov razvoj še ni v serijski proizvodnji.
Južnokorejsko podjetje si je prej zadalo cilj, da bo do leta 2030 na trgu ponujalo pomnilniške čipe 3D V-NAND Flash s 1000 aktivnimi celičnimi plastmi, kar se je sprva morda zdelo izjemno ambiciozen načrt, s svežim razvojem pa je zdaj skoraj na dosegu roke. 900 aktivnih celičnih plasti seveda ni doseženih z monolitnim čipom, saj bi bila to pri sedanji tehnološki razvitosti nerešljivo zapletena naloga. Namesto tega so uporabili tehnologijo Hybrid-Bonding, znotraj nje pa postopek Cell Multi-Bonding (CMB), ki ga je razvilo podjetje in omogoča, da z zlaganjem dveh pomnilniških čipov 3D V-NAND, vsak s 450 aktivnimi celičnimi plastmi, nastane razvoj z 900 aktivnimi celičnimi plastmi.
Posamezne silicijeve rezine lahko »zlepijo« z vgrajenimi kovinskimi stiki: prek njih v bistvu ustvarijo trajno vez med dvema čipoma, vendar tehnična izvedba še zdaleč ni tako preprosta. Ker so silicijeve rezine nagnjene k vijanju, so morali razviti metodo, s katero je povezava vsekakor izvedena z natančno natančnostjo in brez napak. V ta namen so razvili mikroskopsko majhne vpenjalnike, ki čipe držijo na mestu, dokler med njima ne nastane potrebna povezava – s to metodo lahko odpravijo tudi napake pri poravnavi.
O točnem tipu drobnih »vpenjalnih glav«, ki jih uporablja Samsung, ni bilo govora – v ozadju je morda tehnologija Coulumbic E-Chuck ali Johnsen-Rahbek E-Chuck, če gre za elektrostatične rešitve. Proizvajalčevi inženirji hkrati spreminjajo tudi notranjost NAND, na primer ustvarili so novo arhitekturo bitnih in besednih linij, da bi velikost čipov ostala na sprejemljivi ravni in bi lahko ukrotili tudi njihovo porabo.
O tem, kdaj natančno se lahko začne serijska proizvodnja pomnilniških čipov 3D V-NAND Flash z 900 aktivnimi celičnimi plastmi, še ni bilo govora, upajmo pa, da bodo kmalu uradno razkrili kaj več o tem novem mejniku. Med tem v podjetju delajo na zagonu serijske proizvodnje pomnilniških čipov V-NAND Flash 10. generacije, zaradi katere lahko ponudba preskoči nad 400 aktivnih celičnih plasti, pozneje pa bi lahko debitiral tudi omenjeni razvoj z 900 aktivnimi celičnimi plastmi.
