Samsung je dosegel izjemno pomemben mejnik na področju pomnilniških sklopov HBM. Proizvajalčev najnovejši razvoj, izdelki, zasnovani na pomnilniškem standardu HBM4E, je bil uspešno testiran, pri čemer se je izkazalo, da novosti v celoti ustrezajo zahtevam Nvidie, torej bodo lahko uporabljeni v pospeševalnikih umetne inteligence naslednje generacije s kodnim imenom Rubin Ultra.
To je resen uspeh in hkrati velik korak naprej, saj tega rezultata pri pomnilniških sklopih standarda HBM3E ni bilo mogoče doseči: ti niso ustrezali Nvidiinim pričakovanjem, zato niso mogli priti v podjetjeve pospeševalnike umetne inteligence. To je seveda pomenilo velik izpad, saj se v vrvežu okoli umetne inteligence izdelki trga HBM prodajajo v ogromnih količinah, a Samsungovi čipi HBM3E zaradi omenjenega neuspeha niso mogli odrezati dovolj velikega kosa namišljene torte. Nvidia je južnokorejskemu velikanu kljub temu zaupala na področju pomnilniških čipov GDDR7, zdaj pa je tudi ponudba HBM4E kos nalogi.
Pri novi generaciji HBM Samsung sodi med vodilna podjetja, saj njegovi 2048-bitni pomnilniški sklopi HBM4E dosegajo hitrost 14 Gbps na kontakt, vsak tak čip pa komunicira prek 2048 kontaktov. Pri hitrosti 14 Gbps je z enim pomnilniškim sklopom HBM4E mogoče doseči pomnilniško pasovno širino 3,6 TB/s, če pa vzamemo za osnovo različice s 16 Gbps, ta vrednost poskoči na 4 TB/s. Teh pomnilniških sklopov je lahko v posameznem pospeševalniku umetne inteligence kar ducat, kar pomeni, da je mogoče doseči veliko pomnilniško pasovno širino.
V Samsungovi ponudbi HBM4E so trenutno pomnilniški sklopi z zgradbo 12-Hi, torej z 12 čipi DRAM, ki omogočajo pomnilniško zmogljivost 48 GB na sklop. Glede na tržne potrebe bodo pozneje nastale tudi rešitve z zgradbo 8-Hi in 16-Hi, ki zagotavljajo 32 GB oziroma 64 GB pomnilniške zmogljivosti.
Letos bi lahko začeli izdelovati okoli 20.000 silicijevih rezin, ki so osnova za pomnilniške sklope HBM4E, mesečno, v letu 2027 pa bi ta količina lahko dosegla že 50.000, prav tako mesečno, torej bi se proizvodna zmogljivost lahko precej povečala, seveda če bo vse potekalo po načrtih. Pod čipe DRAM mora seveda priti tudi osnovni čip, ki ga je mogoče izdelati s Samsungovo proizvodno tehnologijo SF4 razreda 4 nm; po poročanju medijev za proizvodnjo osnovnih čipov pomnilniških sklopov HBM4E namenjajo približno polovico vse zmogljivosti SF4. Na tej podlagi pričakujejo veliko povpraševanje tako v klasičnem segmentu HBM4E kot na trgu rešitev HBM4E z lastnimi osnovnimi čipi.
