SK Hynix je pred kratkim dosegel še en pomemben mejnik, zaradi česar je lahko končno začel partnerjem dobavljati prve vzorce pomnilniških sendvičev HBM4E naslednje generacije v 12-slojni izvedbi (12-Hi). Novost z 12 rezinami DRAM bo ključnega pomena za učinkovito oskrbo akceleratorjev UI naslednje generacije, saj v primerjavi s predhodniki prejšnje generacije prinaša napredek ne le pri zmogljivosti, temveč tudi pri pasovni širini prenosa podatkov, kar omogoča doseganje višje pasovne širine pomnilnika, poleg tega pa prinaša tudi izboljšanje energijske učinkovitosti.
Pomnilniški sendvič HBM4E podjetja SK hynix s 48 GB je poseben tudi zato, ker so proizvajalci pomnilnika lani še načrtovali, da bodo zmogljivost 32 GB dosegli v 12-slojni izvedbi, za zmogljivost 48 GB pa bo veljala 16-slojna izvedba. Razvoj podjetja SK hynix pa zmogljivost 48 GB dosega le z 12 plastmi rezin DRAM, kar pomeni, da imajo posamezne rezine DRAM večjo gostoto podatkov. Dobra novica je tudi, da je pri novosti na osnovi HBM4E zahvaljujoč novemu vmesniku in optimizacijam uspelo zmanjšati zakasnitev prenosa podatkov, kar je prav tako ključnega pomena.
Zelo pomemben napredek je tudi, da se je hitrost na posamezen stik zdaj povečala na 16 Gbps, niso pa podrobneje navedli, kolikšno pasovno širino prenosa podatkov natančno zagotavlja posamezni pomnilniški sendvič. Ni pa skrivnost, da bodo rezine DRAM, ki so osnova HBM4E, izdelane s šestgeneracijsko 10-nm proizvodno tehnologijo podjetja (1c), ki pri enaki površini rezine omogoča večjo gostoto pomnilniških celic, s tem pa je mogoče povečati zmogljivost in energijsko učinkovitost. Na slednjem področju novi razvoj prinaša več kot 20-odstoten napredek v primerjavi s prejšnjo generacijo, kar je zelo pomembno na trgu akceleratorjev UI.
Pomembna sestavina recepta je tudi ohišje Advanced MR-MUF, ki utrjuje strukturo, sestavljeno iz plast na plast zloženih rezin DRAM, tako da med posamezne rezine vstavi zaščitni material, kar pozitivno vpliva ne le na strukturno stabilnost, temveč izboljšuje tudi učinkovitost prenosa toplote. Pri slednjem je SK hynix po lastnih navedbah dosegel 17-odstotno izboljšavo v primerjavi z rešitvami prejšnje generacije, kar prispeva k temu, da lahko pomnilniški podsistem in s tem tudi zmogljivi akceleratorji UI delujejo stabilneje ter dlje časa stabilno vzdržujejo vrhunsko zmogljivost.
SK hynix zaenkrat ni podrobneje navedel, kdaj natanko se lahko začne serijska proizvodnja 12-slojnih pomnilniških sendvičev HBM4E, a sodelavci ZDNeta vedo povedati, da bi se to lahko zgodilo že v prvi polovici prihodnjega leta, če bo šlo vse po načrtih. Medtem podjetje že razvija tudi naslednjo, sedmo generacijo litografije razreda 10 nm, ki bo ključnega pomena za nadaljnje izboljšanje zmogljivosti in energijske učinkovitosti, kar zadeva generacijo HBM 5.
