TSMC je na simpoziju 2026 North America Technology Symposium omenil številne nove razvojne rešitve, med katerimi je ena najzanimivejših A13, ki prihaja kot nadgradnja procesa A14 in obeta napredek v več pogledih.
A13 je neposredni naslednik procesa A14, različica z zmanjšano litografsko velikostjo, ki po navedbah proizvajalca prinaša 6-odstotni prihranek pri površini, torej bo zasnova na osnovi A13 za toliko prostorsko varčnejša v primerjavi z A14. A13 pri načrtovalskih pravilih ponuja popolno nazaj združljivost s proizvodnim procesom prejšnje generacije, zahvaljujoč optimizacijam pa prinaša napredek tudi pri zmogljivosti in porabi. Po načrtih TSMC bi lahko A13 v množično proizvodnjo vstopil nekje v letu 2029, približno eno leto po tem, ko je A14 začel svojo pot.
Poleg A13 nastaja že tudi A12, katerega največja novost bo uvedba napajanja s hrbtne strani, imenovanega Super Power Rail: napajalna napetost, potrebna za delovanje tranzistorjev, prihaja z zadnje strani čipa, prenos signalov pa poteka na »sprednji strani«. To metodo uporablja že Intel, začenši z 18A. A12 bo Full Node, z vsemi njegovimi prednostmi.
Med proizvodnimi tehnologijami je omembe vredna novost N2U, ki bo okrepila tabor procesov razreda 2 nm in velja za nadgrajeno različico N2P. N2U lahko v primerjavi z N2P ponudi 3–4 % višjo zmogljivost pri enaki porabi in enako zahtevni zasnovi ali pa je z njim mogoče doseči enako zmogljivost pri 8–10 % nižji porabi. Nova proizvodna tehnologija prinaša minimalno povečanje gostote tranzistorjev, pričakujemo lahko le od 1,02- do 1,03-kratni napredek, kar vendarle lahko pomeni določeno prednost. Ta proizvodna tehnologija naj bi po načrtih v množično proizvodnjo vstopila že v letu 2028.
TSMC je omenil tudi razvoj tehnologij ovijanja: poudarili so, da trenutno lahko izdelujejo čipe CoWoS velikosti 5,5 reticle, torej 5,5 fotomaske, v letu 2028 pa bo mogoča že proizvodnja rešitev velikosti 14 reticle, kar omogoča, da čip deluje s skupaj 10 velikimi čipi Compute Die in skupaj 20 sklopi HBM Stack, kar lahko prinese precejšnje povečanje zmogljivosti.
Podjetje lahko to raven preseže že v letu 2029: prihaja platforma SoW-X velikosti 40 reticle, ki ponuja nove možnosti. Hkrati bo mogoče tudi plastenje čipov, izdelanih s proizvodno tehnologijo A14 (A14-on-A14 SoIC), in to z impresivnim napredkom: v primerjavi s čipi N2-on-N2 SoIC bo na voljo 1,8-krat višja gostota V/I, kar bistveno poveča dosegljivo pasovno širino podatkovne komunikacije.
Podjetje bo v letu 2028 v serijsko proizvodnjo poslalo tudi prvo proizvodno tehnologijo avtomobilske stopnje z uporabo tehnologije NanoSheet, ki bo v primerjavi z N3A prinesla 15–20-odstotno povečanje hitrosti pri enaki porabi, kar lahko odpre vrata številnim novim možnostim razvijalcem za avtomobilsko industrijo.
Govora je bilo tudi o tem, da podjetje cilja tudi na trg krmilnikov zaslonov, kamor je namenilo proizvodno tehnologijo N16HV, njena uporaba pa se lahko začne že letos. Razkrilo se je tudi, da tajvansko podjetje za pogodbeno proizvodnjo polprevodnikov zaenkrat ne načrtuje uporabe skenerjev tipa High-NA, saj inženirska ekipa tudi brez njih zaenkrat najde načine za nadaljnji razvoj proizvodnih tehnologij, zato ostajajo pri preizkušenih metodah, medtem ko tekmeci uporabo skenerjev EUV tipa High-NA začenjajo okoli 2027–2028.
